N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220 The STP30N65M5 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STP30N65M5 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Provides robustness in high-energy conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability under extreme conditions.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet and product documentation.

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220