**Part Number:** STP2NK90Z  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 4pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications up to 900V.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Avalanche-Rugged:** Capable of handling high-energy avalanche conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides enhanced reliability by protecting against gate overvoltage.  
- **Applications:** Suitable for power supplies, lighting, motor control, and industrial systems.  

The STP2NK90Z is optimized for efficiency in high-voltage circuits with robust performance characteristics.