N-channel 1000 V, 6.25 Ohm, 1.85 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET The STP2NK100Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Description:**
The STP2NK100Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, converters, and other high-voltage circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1000V drain-source voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-92 Package:** Compact and suitable for through-hole mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-channel 1000 V, 6.25 Ohm, 1.85 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET