OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP2NA50 is a high-voltage N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

**Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Description:**  
The STP2NA50 is designed for high-voltage, fast-switching applications. It features low gate charge and high ruggedness, making it suitable for power supplies, converters, and motor control circuits.  

**Features:**  
- High-voltage capability (500V)  
- Low input capacitance for fast switching  
- Low on-resistance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Standard through-hole TO-220 package  

This MOSFET is commonly used in power management applications where efficiency and reliability are critical.

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