N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package The **STP28NM50N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 14A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**
The **STP28NM50N** is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  

This MOSFET is optimized for high-performance power conversion and switching applications where efficiency and reliability are critical.

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package