N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package The **STP26NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP26NM60N** is a high-voltage **Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge (Q_g)** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **100% avalanche tested** for ruggedness  
- **Improved dv/dt capability** for better noise immunity  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), inverters, and motor drives** due to its high efficiency and reliability.  

Would you like additional details on any specific parameter?

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package