N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The **STP25NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 600V.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - Inverters  
  - Industrial and automotive systems  

The **STP25NM60N** is suitable for high-power, high-efficiency applications requiring robust performance.

N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET