STP24NM65N

N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET The STP24NM65N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The STP24NM65N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and reduced switching losses, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control applications.

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching performance.  
- **Low R_DS(on)** minimizes conduction losses.  
- **High dv/dt capability** for robust performance.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for quality assurance.  
- **Fast intrinsic diode** for reduced reverse recovery losses.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET