N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) TO-220 The STP23NM60ND is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STP23NM60ND is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and improved switching performance.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for efficient switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package** for easy mounting  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications.

N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) TO-220