N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 The **STP22NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 11A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The **STP22NM60N** is a high-voltage MOSFET designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and inverters.  
- It features **low on-resistance** and **high switching speed**, making it suitable for **efficient power conversion**.  
- The **TO-220 package** provides good thermal performance and ease of mounting.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)** for robust performance.  
- **Low gate charge** for fast switching.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for quality assurance.  
- **Improved dv/dt capability** for noise immunity.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220