N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package The STP21NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about the device:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 72A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 48nC (typical)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STP21NM60ND is a high-voltage MOSFET designed for efficient switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package