#### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 35nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

#### **Descriptions:**  
The **STP21N65M5** is a high-voltage N-channel Power MOSFET utilizing ST's **MDmesh™ M5 technology**, optimized for high efficiency and ruggedness in switching applications. It is designed for **low conduction and switching losses**, making it suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications**.  

#### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for improved reliability  
- **Low gate charge (Q_g)** for fast switching  
- **Avalanche ruggedness** for robust performance  
- **100% avalanche tested** for reliability  
- **Optimized for high-frequency switching**  

This MOSFET is ideal for **high-efficiency power conversion systems** where low losses and high switching performance are critical.