N-CHANNEL 600V 0.26 OHM 20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESH POWER MOSFET The STP20NM60FD is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated tab)  

### **Description:**  
The STP20NM60FD is an N-channel Power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ M2 technology, optimized for high-efficiency switching applications. It features low gate charge, low on-resistance, and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ M2 Technology:** Enhances switching efficiency and reduces conduction losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Provides electrical isolation for easier thermal management.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 600V 0.26 OHM 20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESH POWER MOSFET