N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET The STP19NM65N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP19NM65N is an N-channel MOSFET based on ST's MDmesh™ technology, optimized for high-voltage, high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Enhances switching performance and reduces conduction losses.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged Design:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The device is available in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)

N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET