N-channel 200 V, 0.15 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY(TM) Power MOSFET in TO-220 package The **STP19NF20** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP19NF20** is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.

### **Features:**
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low thermal resistance** (R_thJC = 1.67°C/W)  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation  
- **100% avalanche tested** for robustness  

This MOSFET is optimized for **high-efficiency power conversion** and **fast switching applications**.

N-channel 200 V, 0.15 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY(TM) Power MOSFET in TO-220 package