STP19NB20FP

N-CHANNEL 200V 0.5 OHM 19A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET The STP19NB20FP is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated tab)  

### **Description:**  
The STP19NB20FP is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 19A continuous current.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Provides electrical isolation between the tab and the mounting surface.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 200V 0.5 OHM 19A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET