N-CHANNEL 250V 0.23 OHM 16A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET The **STP16NS25** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 64A  
- **Power Dissipation (PD):** 80W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  
### **Descriptions:**  
The **STP16NS25** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications.
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.