N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The STP16NE06L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in switching applications.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET