N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The **STP16NE06FP** is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**
- **TO-220FP (FullPack) – Isolated Package**  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Description:**
The **STP16NE06FP** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and DC-DC converters.  

### **Key Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (16A continuous).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Isolated TO-220FP package** for simplified thermal management.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET