**Part Number:** STP16N65M5  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The STP16N65M5 is a high-voltage N-channel Power MOSFET utilizing ST's MDmesh™ M5 technology, optimized for high efficiency and switching performance in power applications. It is designed for use in switch-mode power supplies (SMPS), lighting, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching and reduced losses.  
- **Low R_DS(on):** Enhances conduction efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for improved reliability.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better performance in high-frequency applications.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.