OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP16N10L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP16N10L is a high-voltage, low on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in various power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STP16N10L.

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