N-CHANNEL 100V 0.115 OHM 15A D2PAK/TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFET The STP14NF10 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 56A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.14Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Package:**  
- TO-220 (Through-Hole)  
### **Description:**  
The STP14NF10 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 14A continuous drain current.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks.  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to STMicroelectronics' official documentation.