**Part Number:** STP13NK60ZFP  

**Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (Fully Insulated)  

**Descriptions:**  
The STP13NK60ZFP is an N-channel 600V MOSFET based on ST's MDmesh™ II technology, optimized for high-efficiency power switching applications. The fully insulated TO-220FP package ensures electrical isolation between the device and the heatsink.  

**Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High dv/dt capability  
- Improved body diode characteristics  
- Fully insulated package for simplified mounting  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for high-frequency applications (e.g., SMPS, lighting, motor control)