**Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

**Descriptions and Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Suitable for high-efficiency power switching applications  
- Applications include power supplies, motor control, and inverters  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications with efficient power handling.