N-CHANNEL 600V 0.4 OHM 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDMESH POWER MOSFET The STP11NM60AFP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**  
- The STP11NM60AFP is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various applications.  
- The fully insulated TO-220FP package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Fully Insulated Package:** Eliminates the need for an additional insulation pad.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL 600V 0.4 OHM 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDMESH POWER MOSFET