N-CHANNEL 200V The STN1N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The STN1N20 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Rugged:** Withstands high-energy pulses  
- **TO-92 Package:** Compact and easy to mount  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.