N-CHANNEL 600V The STN1HNK60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The STN1HNK60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency systems.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching and reduced power losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Provides reliability in harsh conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.