Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor The STM4953 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The STM4953 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.

### **Features:**
- Low gate charge for fast switching  
- Low threshold voltage for compatibility with low-voltage logic  
- Enhanced thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in TO-252 (DPAK) package  

For detailed information, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor The **STM4953** is a **P-channel enhancement mode power MOSFET** manufactured by **SAMHOP**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **STM4953** is designed for **high-efficiency power management** applications.  
- It is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, suitable for surface-mount assembly.  
- The MOSFET is optimized for **low-voltage, high-current switching** circuits.  

### **Features:**  
- **P-channel MOSFET** with **enhancement mode** operation.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy specified** for reliability in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For exact application details, refer to the official **SAMHOP datasheet**.

Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor The STM4953 is a P-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STMHOP). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 70mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Descriptions:**
- The STM4953 is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is commonly used in power management, DC-DC converters, and load switching circuits.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package for efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 3.3V control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.