Low power voltage detector The **STM1061N30WX6F** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** STM1061N30WX6F  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically high (exact value depends on thermal conditions)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Low (typically in milliohms, exact value depends on gate voltage)  
- **Package:** PowerFLAT 5x6 (a compact surface-mount package optimized for high-current applications)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **STM1061N30WX6F** is a high-performance **N-Channel Power MOSFET** designed for applications requiring **low on-resistance** and **high current handling** capabilities. It is optimized for **switching power supplies, motor control, and DC-DC converters** where efficiency and thermal performance are critical.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to **100A continuous drain current**.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Optimized Package (PowerFLAT 5x6):** Enhances thermal performance and PCB space efficiency.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (exact threshold depends on datasheet).  

For exact values (e.g., R_DS(on), I_DM), refer to the **official STMicroelectronics datasheet**.