N-channel 30 V, 0.006 Ohm typ., 11 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 package The part **STL11N3LLH6** is a **Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ VII DeepGATE™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerFLAT™ 5x6  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial systems.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced power dissipation.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive reliability.  
- **100% avalanche tested** for ruggedness.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **battery management, power supplies, and load switching** due to its high current handling and efficiency.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

N-channel 30 V, 0.006 Ohm typ., 11 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 package