OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STK2NA60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 100pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**
The STK2NA60 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.
### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.