OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STK2N80 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  

### **Descriptions:**
- The STK2N80 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 800V drain-source voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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