Low-cost interactive set-top box decoder The STI5162HBB is a high-voltage, high-speed power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STI5162HBB is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and inverters. The device features low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured ruggedness in inductive load applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.