N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP The STI12NM50N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The STI12NM50N is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- The device is suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.