1300 nm Laser, High Power The **STH51005N** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** Power Transistor (likely a MOSFET or IGBT, exact type may vary)  
- **Voltage Rating:** Typically high-voltage (exact value depends on variant)  
- **Current Rating:** High current handling capability (specific value varies by model)  
- **Package:** TO-247 or similar power package  
- **Technology:** Optimized for high efficiency and low switching losses  

### **Descriptions:**
- Designed for high-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  
- Suitable for industrial and automotive applications where high efficiency is critical.  

### **Features:**
- **Low On-State Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **High Temperature Operation:** Capable of functioning under elevated thermal conditions.  
- **Avalanche Ruggedness:** Withstands high-energy transient conditions.  

For exact electrical characteristics, refer to the official **Infineon datasheet** for the specific variant of **STH51005N**.