STGWA19NC60HD

31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode The STGWA19NC60HD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @25°C):** 19A  
- **Current (I_C @100°C):** 11A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Fast switching performance.**  
- **Low saturation voltage.**  
- **High current capability.**  
- **Robust and reliable design.**  
- **Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode.**  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.

31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode