31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode The STGWA19NC60HD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @25°C):** 19A  
- **Current (I_C @100°C):** 11A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Fast switching performance.**  
- **Low saturation voltage.**  
- **High current capability.**  
- **Robust and reliable design.**  
- **Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode.**  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.

31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode