STGW40N120KD

40 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode The **STGW40N120KD** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 1200V  
- **Current Rating (I_D):** 40A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 75mΩ (typical at V_GS = 15V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4.5V (typical)  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**
- The **STGW40N120KD** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for **efficiency and reliability** in power conversion systems, such as inverters, motor drives, and industrial power supplies.  
- Features **low conduction and switching losses**, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Key Features:**
- **Fast switching performance** with low gate charge (Q_G).  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Planar technology** for stable performance.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.

40 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode