Low Drop "S" series The **STGW35NB60SD** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 35A (at 25°C)  
- **Maximum Collector Current (I_CM):** 70A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical at I_C = 35A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **STGW35NB60SD** is a **NPT (Non-Punch Through) trench IGBT** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low conduction and switching losses**, making it suitable for **motor drives, inverters, and power supplies**.  
- Features **co-packaged ultra-fast soft recovery antiparallel diode** for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** with rugged design.  
- **Fast switching** for improved efficiency.  
- **Integrated freewheeling diode** for simplified circuit design.  
- **High-temperature operation** up to 150°C.  
- **TO-247 package** for efficient thermal management.  

This IGBT is commonly used in **industrial, automotive, and renewable energy applications** requiring high power handling and reliability.