40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode The STGW30NC60VD is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 15V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STGW30NC60VD is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power conversion and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **TO-247 Package:** Provides high power dissipation capability.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in inductive load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.