1200V, 30A The **STGW30NC120HD** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Robust construction for reliable performance in harsh environments.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 1200 V rating for industrial applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **Temperature Stability:** Wide operating temperature range.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for inductive load protection.  

This IGBT module is optimized for efficiency and durability in demanding power electronics applications.