**Part Number:** STGW30NB60HD  

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 15 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical) @ I_C = 15 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STGW30NB60HD is a high-speed, low-loss IGBT designed for high-efficiency switching applications. It features a trench gate field-stop technology, providing improved switching performance and reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat))  
- High-speed switching capability  
- Trench gate field-stop technology for efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in high-power applications  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies  

(Data sourced from STMicroelectronics official documentation.)