N-CHANNEL 30A The STGW30NB60H is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C):** 30 A (at 25°C)  
- **Current Rating (I_C):** 15 A (at 100°C)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical at I_C = 30 A, V_GE = 15 V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The STGW30NB60H is a high-speed, low-loss IGBT designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- The device features a trench gate field-stop structure for improved performance.  

### **Features:**
- Low conduction and switching losses  
- High-speed switching capability  
- Trench gate field-stop technology  
- Positive temperature coefficient for easy paralleling  
- Robust and reliable performance in harsh environments  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.