STGW30N120KD

30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode The **STGW30N120KD** is an **IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)** manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 250 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical at I_C = 30 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low turn-off losses  
- **Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**
The **STGW30N120KD** is a **NPT (Non-Punch Through) trench IGBT** designed for high-efficiency power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for **motor drives, inverters, UPS systems, and industrial power supplies**.

### **Features:**
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications  
- **High voltage capability (1200 V)** for robust operation  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable performance  
- **Freewheeling diode integrated** (co-packaged with an anti-parallel diode)  
- **TO-247 package** for efficient thermal management  

This IGBT is optimized for **hard-switching and soft-switching topologies**, ensuring efficiency in demanding power electronics applications.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)

30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode