New short circuit rugged "K" series The STGP8NC60KD is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STGP8NC60KD is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits, such as switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power electronics where high voltage and efficiency are critical.