19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode The STGP19NC60HD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 19A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 10A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical) @ I_C = 19A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The STGP19NC60HD is a high-speed, low-loss IGBT designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for industrial, motor control, and power conversion systems.  
- The device features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **High Current Capability:** Supports up to 19A at 25°C.  
- **Temperature Stability:** Operates reliably across a wide temperature range (-40°C to 150°C).  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances performance in inductive load applications.  
- **TO-247 Package:** Provides robust thermal and mechanical performance.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STGP19NC60HD.