14 A, 600 V short-circuit rugged IGBT The STGP14NC60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 14 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 8 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 80 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical) @ I_C = 14 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated)  

### **Descriptions:**  
- The STGP14NC60KD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It features a trench gate field-stop structure for improved efficiency and thermal performance.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for high-frequency applications.  
- High ruggedness and short-circuit capability.  
- Isolated TO-220FP package for simplified mounting and thermal management.  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode for improved efficiency in inductive load applications.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.