STGF19NC60KD

short circuit rugged IGBT The STGF19NC60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 19A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 11A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  

### **Description:**  
The STGF19NC60KD is a high-speed, low-loss NPT (Non-Punch Through) trench IGBT designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for industrial motor drives, UPS systems, and power conversion applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **High Input Impedance** for easy gate drive control.  
- **Temperature-Stable Characteristics** for reliable operation.  
- **Built-in Fast Recovery Diode** for improved efficiency in inductive load switching.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

The device is available in a TO-247 package.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)

short circuit rugged IGBT