19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode The STGF19NC60HD is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (typical)  
- **Package:** TO-220FP (isolated)  
- **Technology:** MDmesh™ (High Voltage Power MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- Features low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low conduction losses** due to reduced R_DS(on).  
- **Fast switching** for improved efficiency.  
- **High dv/dt capability** for robust performance.  
- **Isolated package (TO-220FP)** for simplified mounting.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet and product documentation.