STGD7NB60ST4

N-CHANNEL 7A The STGD7NB60ST4 is a 600 V, 7 A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C):** 7 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical at I_C = 7 A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -40°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low saturation voltage for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode for inductive load protection.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Robust and reliable for industrial applications.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STGD7NB60ST4.

N-CHANNEL 7A