N-CHANNEL 7A The **STGB7NC60HDT4** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 7 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4.5 A  
- **Pulsed Collector Current (I_CM):** 14 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  

### **Description:**
The **STGB7NC60HDT4** is a **N-channel IGBT** in a **TO-263 (D2PAK)** surface-mount package. It is designed for high-efficiency switching applications, featuring low conduction and switching losses.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching** performance  
- **High current capability**  
- **Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  
- **Suitable for SMPS, motor control, and induction heating applications**  

This IGBT is optimized for applications requiring **high voltage switching** and **energy efficiency**.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)